IGBT模塊的損耗特性

IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。另外，內(nèi)置續(xù)流二極管的損耗為導(dǎo)通損耗與關(guān)斷（反向恢復(fù)）損耗(ERR)之和。 EON、EOFF、ERR與開(kāi)關(guān)頻率的乘積為平均損耗。
IGBT的損耗：

續(xù)流二極管的反向恢復(fù)損耗：

反向恢復(fù)損耗 ERR
開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試：

PDMB100B12開(kāi)通損耗EON測(cè)量范例：

PDMB100B12關(guān)斷損耗EOFF測(cè)量范例：

1200V B系列開(kāi)通損耗 EON （Tj= 125℃），有關(guān)門極系列阻抗RG請(qǐng)參閱技術(shù)規(guī)格。

1200V B系列關(guān)斷損耗 Eoff (Tj=125C)，有關(guān)門極系列阻抗RG請(qǐng)參閱技術(shù)規(guī)格。

1200V B系列續(xù)流二極管反向恢復(fù)損耗 ERR（Tj= 125℃），有關(guān)門極系列阻抗RG請(qǐng)參閱技術(shù)規(guī)格。

1200V B系列ERR對(duì)門極串聯(lián)電阻RG依存性（Tj= 125℃）

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