IGBT模塊的門極驅(qū)動

額定門極驅(qū)動電壓：

門極驅(qū)動電壓在±20V范圍內(nèi)施加超過此范圍的電壓時，門極-發(fā)射極間的氧化膜（SiO2）有可能發(fā)生絕緣破壞或?qū)е驴煽啃韵陆怠? 開通-門極驅(qū)動電壓：
開通-門極驅(qū)動電壓標準為+15V。諸如12V、10V的低門極驅(qū)動電壓會造成集電極損耗增加。6V時IGBT基本上不開通，此時集電極-發(fā)射極上施加電源電壓。施加這樣的低門極電壓時，有可能由于過大的損耗導致元件損壞。 關(guān)斷時門極反向偏置電壓（－VGE）：

如果提高開通門極電壓+VGE，開通速度會上升，開通損耗會下降。相反，開通時的噪聲干擾會增加。同樣，如果提高關(guān)斷門極電壓-VGE，關(guān)斷速度會上升，關(guān)斷損耗會下降。相反，關(guān)斷時的浪

涌電壓及噪聲干擾會增加。+VGE、-VGE和下一項的RG都是影響開關(guān)速度的主要因素。 門極阻抗RG和開關(guān)特性： 門極電容：
輸入電容：Cies = Cge + Cgc
Reverse Transfer 電容：Cres = Cgc
輸出電容：Coes = Cce + Cgc 發(fā)射極門極反向偏置電壓和門極-發(fā)射極之間的阻抗RGE：

● 盡量讓門極配線遠離主電路配線，并避免使兩者平行。

● 交叉時，請以正交交叉。

● 不要將多根門極配線捆扎在一起。

● 追加共模扼流圈和鐵氧體磁環(huán)也可達到一定的效果。 門極充電和驅(qū)動電流-功率：