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NPC-2三電平功率模塊中 逆阻型IGBT的門極驅(qū)動器應用

變換器拓撲介紹
􀁺傳統(tǒng)的兩電平拓撲(圖a)具有兩種開關(guān)狀態(tài):直流母線的正電壓和負電壓狀態(tài)(DC+、DC-);為了降低輸出波形的THD,需要更多的開關(guān)狀態(tài)。
􀁺三電平NPC1(即“1”字型三電平)拓撲(圖b)可提供所需的額外的開關(guān)狀態(tài):N點為0V的中性狀態(tài)。
由于更低的電壓波形失真,濾波要求可以降低,可以節(jié)省濾波器的成本。
缺點:開關(guān)器件(IGBT和二極管)的數(shù)量會增加,從而增大拓撲的復雜度并增加系統(tǒng)的成本。
兩電平拓撲
􀁺應用三電平NPC2(即T型三電平)拓撲(圖c) ,功率半導體的數(shù)量與NPC1拓撲相比可進一步減少。
還可以使用兩個逆阻型(RB)IGBT,來替代NPC2拓撲中以共集電極方式連接的兩個IGBT和二極管,這樣NPC2拓撲中可減少兩個二極管(圖d)。
􀁺RB-IGBT的特點:
內(nèi)部結(jié)構(gòu)經(jīng)過改進,可使IGBT承受相同水平的正向和反向阻斷電壓;相比之下,標準的IGBT能承受的反向阻斷電壓僅為正向阻斷電壓的幾分之一。
􀁺使用RB-IGBT的優(yōu)勢:
降低導通損耗、提高封裝面積利用率、簡化功率模塊的輔助端子布局等。
三電平NPC2
IGBT驅(qū)動器的考慮因素:
各種拓撲對IGBT驅(qū)動器的要求各不相同。比如:
􀁺 兩電平拓撲通常要求短路保護和過壓保護即可。常用的短路保護方法又叫VCEsat或退保護監(jiān)控;過壓保護一般采用有源鉗位。
􀁺 對于三電平NPC1拓撲,IGBT在短路時刻的關(guān)斷順序非常重要:
1、必須先關(guān)外管,再關(guān)內(nèi)管,否則內(nèi)管IGBT會承受整個母線電壓而損壞;
2、發(fā)生短路時,驅(qū)動器不應該自動關(guān)斷IGBT,而應將故障報告給控制單元,由控制單元來確保正確的關(guān)管順序;
3、只有內(nèi)管IGBT采用有源鉗位的情況下,才能忽略關(guān)管順序,并允許驅(qū)動器自動關(guān)斷IGBT。
􀁺 而NPC2拓撲則沒有關(guān)管順序的要求。

􀁺NPC1和NPC2拓撲的共同特點是,在正常工作期間,相輸出端U的電壓相對于中性點N在+1/2DC和-1/2DC之間交變,即極性發(fā)生變化。這一特點對于在NPC2拓撲中N點和U點之間的IGBT形成雙向開關(guān)特別有意義。
NPC2拓撲
下圖所示為當外部開關(guān)(此處未顯示)分別導通和關(guān)斷時內(nèi)管IGBT獲得的電壓。圖a中IGBT的集電極-發(fā)射極電壓始終為正電壓或零(理想化),因此,對于短路和過壓保護,無特殊要求;但是,如果用RB-IGBT作雙向開關(guān),情況則不同,U點存在的交變電壓要求修改經(jīng)典的短路保護和過壓保護電路。否則,驅(qū)動器將會損壞,并最終損壞IGBT。
RB-IGBT作雙向開關(guān)
下圖為使用富士電機的NPC2功率模塊4MBI650VB-120R1-50進行的測試。
此例中的負載連接在U和DC-之間,上管IGBT T1導通和關(guān)斷,VDC = 800V, Iload = 650A 。通道2的波形(“VCE RBIGBTT3”)顯示了在IGBTT1導通和關(guān)斷時N-U之間的交變電壓:
T1導通時,T3上的電壓
Vce=400V(+1/2 VDC );
T1關(guān)斷時,T3上的電壓
Vce=-400V(-1/2 VDC )
NPC2功率模塊4MBI650VB-120R1-50進行的測試
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