SiC模塊與IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗比較

以下展示的是不同三家公司已經(jīng)產(chǎn)品化的最新（2012 年時(shí)）的1200V/100A 等級(jí)2in1 結(jié)構(gòu)的IGBT模塊和SiC 模塊的比較結(jié)果。
4.4.1 總開(kāi)關(guān)損耗的比較
如果選擇了合適的門極電阻，SiC 功率模塊的總開(kāi)關(guān)損耗（Eon + Eoff + Err）能夠比損耗最小的IGBT模塊降低85％。 因此，SiC 模塊可以在以往的IGBT 模塊無(wú)法達(dá)到的50KHz 以上驅(qū)動(dòng)，也可以使 電抗器等被動(dòng)器件小型化。而且，在通常的IGBT 模塊中，由于存在由開(kāi)關(guān)損耗引起的發(fā)熱問(wèn)題，只能使用額定電流的一半左右的電流工作，但是，SiC 模塊的開(kāi)關(guān)損耗很小，所以在高頻驅(qū)動(dòng)時(shí)也不用取大幅度的電流降額就可以使用。也就是說(shuō)，SiC 功率模塊可以替換額定電流更大的IGBT模塊。文章來(lái)源：http://wwwcb863.com/js/173.html 4.4.2 恢復(fù)損耗（Err）的比較
IGBT 模塊中的FRD 的峰值反向恢復(fù)電流Irr、反向恢復(fù)時(shí)間trr 很大，所以產(chǎn)生較大的損耗，而SiC‐SBD 的Irr、trr 非常小，損耗值幾乎可以忽略不計(jì)。 4.4.3 Turn‐on 損耗（Eon）的比較
回流臂上產(chǎn)生的恢復(fù)電流貫通到相對(duì)一側(cè)，從而使開(kāi)關(guān)器件的Turn‐on 損耗增大。與恢復(fù)損耗一樣，二極管的恢復(fù)越快，SiC 功率模塊的Turn‐on 損耗越小。而且外部門極電阻越小，損耗越小。 4.4.4 Turn‐off 損耗（Eoff）的比較
IGBT 的Turn‐off 損耗是由尾電流引起的，所以對(duì)門極電阻的依賴性不是特別明顯，一般都很大。而SiC‐MOSFET 在原理上不存在尾電流，所以可以超快速、低損耗地進(jìn)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作。另外，外部門極電阻阻值越低，損耗越小。轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處：http://wwwcb863.com/