IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過使用
IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度,此方法不適用與測(cè)量快速變化的
IGBT溫度。
芯片溫度可以通過建立一個(gè)熱模型及測(cè)量NTC的溫度計(jì)算得到,可以通過下式計(jì)算溫度T2時(shí)的NTC電阻值
溫度T1=298.15K時(shí)的電阻R
25的值在手冊(cè)里有規(guī)定,如下圖
根據(jù)實(shí)際測(cè)量的NTC電阻R
2的值,溫度T
2的值可由下式計(jì)算
電阻的最大相對(duì)偏差由定義在100度下的ΔR/R值來表示。為了避免NTC的自加熱,NTC自身的功耗需要被限定。為了限定NTC的自身溫升不超過最大允許值1K,通過NTC的電流可以由下式計(jì)算。
為了更精確地計(jì)算NTC的電阻及溫度值,需要不同的B值。B值取決于于所考慮的溫度范圍。25度到100度為最常見溫度范圍,因此會(huì)使用B
25/100的值。在較低的溫度范圍內(nèi),可以使用B
25/80或B
25/50的值,這樣會(huì)在較低的溫度范圍內(nèi)計(jì)算的電阻值更精確。
B-values of the NTC-thermistor
采用NTC的溫度測(cè)量方式不適用與短路檢測(cè)或短時(shí)間內(nèi)過載檢測(cè),可以用來當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間的過載條件下運(yùn)行或者冷卻系統(tǒng)故障時(shí)保護(hù)模塊。