雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響

1 簡介
IGBT的開關(guān)損耗特性研究對IGBT變流器設計具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場合，都需要嚴格按器件損耗特性進行大余量熱設計以保證IGBT及IGBT變流器的溫升在長期可靠性運行所允許的范圍之內(nèi)。IGBT 是主流中大容量/中高速器件，開關(guān)損耗特性研究得到一貫重視。作為典型MOS門極壓控器件，其開關(guān)損耗主要決定于開關(guān)工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動情況等因素，系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)如主回路雜散電感會影響IGBT的開關(guān)特性，進而影響開關(guān)損耗，任何對其開關(guān)性能的研究都必然建立在實驗測試基礎之上，并在實際設計中盡量優(yōu)化以降低變流回路雜散電感。 圖1 功率開關(guān)開關(guān)性能測試平臺原理
圖1是典型的IGBT 開關(guān)特性測試平臺工作原理，其基本形式是用IGBT、二極管、電感、直流電源組成斬波器，模擬各種開關(guān)工作狀態(tài)，用于測試，電路如圖1(a)。其中DUT 是被測試的帶反并聯(lián)二極管IGBT（Device Under Test），與完全相同的IGBT 組成一個橋臂，再串聯(lián)以同軸電流傳感器（Coaxial Shunt），跨于直流母線與參考電位（地電位）之間。DUT 的對管門極反偏以確�？煽孔钄啵�這使得它僅僅擔當一個二極管（D）的角色，用以續(xù)流，而電感L跨接在橋臂中點與母線上，作為斬波器的負載。DUT 的門極驅(qū)動則受控可調(diào)，一般按雙脈沖形式組織，如圖1(b)所示。在直流母線可用前提下，從t0 時刻開始DUT 被觸發(fā)導通，直流電壓施加于電感L 上，使得其電流從零開始線性上升，到時刻t1，DUT 電流（亦即電感電流）上升到所希望的測試值，關(guān)斷DUT，可進行關(guān)斷特性紀錄測量。DUT 的阻斷維持到t2 時刻，期間電感電流通過對管反并二極管續(xù)流，有輕微能量損失在續(xù)流二極管以及線圈電阻上，這一時間間隔程度選擇必須足夠長以滿足關(guān)斷性能測試的最短時間要求，同時又應該盡量短以減少電感電流因續(xù)流損耗而下降的幅度。t2 時刻DUT 再次開通，此時可在與t2 時刻類似的電壓電流條件下進行器件開通特性測試。第二次導通持續(xù)到時刻t3，時間間隔因在滿足開通測試穩(wěn)定前提下盡量短，此后電感電流續(xù)流到自然衰減為零。類似電路應該具備母線電壓調(diào)整功能、器件結(jié)溫控制功能以及DUT 門極驅(qū)動條件調(diào)節(jié)能力、電壓電流數(shù)據(jù)采集能力等等。幾乎所有的器件廠商提供的開關(guān)特性數(shù)據(jù)都是基于以上結(jié)構(gòu)、原理測試獲得的。