一、
IGBT模塊吸收電路的模型
盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,
IGBT關(guān)斷時模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時可以等效為電壓控制的電壓源。下面以下圖所示的斬波器為例提出一般
IGBT吸收電路的模型。在分析中均假定:所有二極管的通態(tài)電壓降為零,開關(guān)器件T的拖尾電流為零,開關(guān)器件T的通態(tài)電壓降為零。文章來源:http://wwwcb863.com/il/225.html
1.關(guān)斷模型
初始狀態(tài):T為通態(tài),VD反向截止,Is流經(jīng)T和Ls,Cs上的電壓為零,Ls上電流為Is。柵極發(fā)出關(guān)斷信號,經(jīng)延遲時間,T上的電流以極快的速度下降到零。這段時間為電流下降時間,記為TF1。設(shè)下降時間開始時刻為零點(diǎn),在下降時間里,0≤t≤TF1,則:
若假定T中的電流按二次曲線下降,則i
CS=I
S*t
2/T
2F1;若T的拖尾電流為零,則t=TF1時第一電壓尖峰為:
Cs由電流源Is充電,一直充到Cs上的電壓等于Us。這時,VD
F2正向?qū)ǎ琁s通過VD
F2續(xù)流;VD
S1導(dǎo)通,Ls上的電流流經(jīng)VD
S1。同時,Cs和Lp1+Lp2產(chǎn)生諧振,當(dāng)Lp1+Lp2中的能量全部轉(zhuǎn)移到Cs中時,IGBT承受第2個電壓尖峰U2;
式中:
;Lp1為主回路的雜散電感;Lp2為吸收回路的雜散電感。
然后是VDs的反向恢復(fù)過程,同時Cs放電,Cs上的電壓最后穩(wěn)定在Us,電路進(jìn)入穩(wěn)態(tài)。
二、開通模型
初始狀態(tài):T為斷態(tài),VD
F2為通態(tài),Is流經(jīng)VD
F2,Cs上電壓為Us,若考慮Ls和VDs1回路的損耗,則Ls上的電流為零。柵極發(fā)出開通信號,經(jīng)過延遲時間,T上的電壓以極快的速度下降到零。這段時間為電壓下降時間,記為T
F2。在電壓下降時間里有:
式中:i1、i2分別為Lp1和Lp2中的電流;u
T、i
T分別為T上的電壓和流經(jīng)T的電流。
一般假定Cs上的電壓在這么短的時間里仍維持Us。其后,Cs通過Rs和T放電到零,同時Ls+Lp1恒壓充電至電流為Is。這時VD
F2反向恢復(fù)并截止。最后電路進(jìn)入穩(wěn)態(tài),T導(dǎo)通,VD
F2截止,Is流經(jīng)T和Ls,Cs上的電壓為零,Ls中的電流為Is。
采用支路模型無法正確理解三電平電路中的雜散電感,因?yàn)殡s散電感與回路有關(guān),且回路面積越大,雜散電感越大。用回路模型表示比用支路模型表示更確切。因此,工程上凡是需要抑制過電壓或避免電磁干擾的地方,都必須緊縮布線或采用雙絞線以減少雜散電感。
根據(jù)以上模型可以指導(dǎo)設(shè)計吸收電路:首先根據(jù)器件功率大小和電路的布局估計Lp1和Lp2,一般以1m
2的面積對應(yīng)1uH來信算;然后根據(jù)具體器件的特性,由上式確定Cs及Ls;Rs的選擇要保證在T開通時Cs上的電壓泄放至零,同時也要綜合考慮上式。